為幫助設(shè)計(jì)人員解決這些難題,全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fai貼片電感生產(chǎn)rchildSemiconductor)發(fā)布了模壓電感廠家非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案,進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
飛兆半導(dǎo)體SiC解決方案助您成功
通過在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員,飛兆半導(dǎo)體進(jìn)一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。
飛兆半導(dǎo)體的SiC特性包括:
經(jīng)過優(yōu)化的半標(biāo)準(zhǔn)化自定義技術(shù)解決方案,可充分利用自身較大的半導(dǎo)體器件與模塊封裝技術(shù)組合
憑借功能集成和設(shè)計(jì)支持資源簡化工程設(shè)計(jì)難題的先進(jìn)技術(shù),可在節(jié)約工程設(shè)計(jì)時(shí)間的同時(shí)最大限度地減少元器件數(shù)量。
具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進(jìn)封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù),可滿足器件制造商和芯片組供應(yīng)商的需求
&n模壓電感器企業(yè)bsp; 在飛兆半導(dǎo)體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列,該系列產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性,并且能夠順利地進(jìn)行高溫工作。通過利用效率出色的晶體管,飛兆半導(dǎo)體的SiCBJT實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,這是因?yàn)閭鲗?dǎo)和開關(guān)損耗較低(30-50%),從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
這些強(qiáng)健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片,可將系統(tǒng)總體成本降低多達(dá)20%。這些業(yè)界領(lǐng)先的SiCBJT性能出眾,可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū),將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。
飛兆半導(dǎo)體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動(dòng)器電路板(15A和50A版本),作為整套碳化硅解決方案的一部分,與飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)SiCBJT配合使用時(shí),不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的條件下提高開關(guān)速度,還使得設(shè)計(jì)人員能夠在實(shí)際應(yīng)用中輕松實(shí)施SiC技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、加快上市速度,還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計(jì)。應(yīng)用指南可供設(shè)計(jì)人員獲取SiC器件設(shè)計(jì)所必需的其他支持;參考設(shè)計(jì)有助于開發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)器電路板。