DCM模式可以降低IC的溫度，特別是集成MOS的IC.
DCM比CCM溫度低50°都是有的。
為何？ 也期待聽(tīng)司令講講DCM的好處~ 司令能說(shuō)說(shuō)DCM的好處讓大家學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)。 頂Z版的帖子 我的新案子就以您提供的這個(gè)芯片方案來(lái)做了DCM相對(duì)CCM的好處能想到的大概有這些：
1、DCM下不存在右半平面問(wèn)題，因此環(huán)路設(shè)計(jì)要考慮的簡(jiǎn)單一些，特別是寬范圍輸入的情況下
2、DCM下不存在次諧波振蕩問(wèn)題，因此峰值電流控制模式可以讓占空比超過(guò)0.5
3、DCM下初級(jí)的限流點(diǎn)不受輸入電壓變化影響，即使不加線電壓補(bǔ)償，過(guò)流保護(hù)點(diǎn)一致性也會(huì)不錯(cuò)
4、DCM下MOSFET的漏源電容帶來(lái)的損耗以及二極管反向恢復(fù)損耗較CCM小
實(shí)際使用英飛凌的芯片測(cè)試了一下，在CCM模式下，環(huán)路比較難調(diào)整，在DCM模式下容易的多，關(guān)鍵變壓器圈數(shù)變得比較少，降低了變壓器的復(fù)雜性，效率沒(méi)有降低我始終覺(jué)得CCM效率高。特別是低壓輸入的時(shí)候。
高壓輸入準(zhǔn)諧振也不錯(cuò)。
感覺(jué)效率不分上下 哇~好規(guī)整的回復(fù)，呼呼 周工按照您推薦的ICE3B0365J 做了設(shè)計(jì)了，輸入85-265 輸出5V 3W EFD13變壓器AE 12.5，按您的DCM理論推薦個(gè)參數(shù)吧。我來(lái)驗(yàn)證DCM下的效果。 是強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合的節(jié)奏嗎 哈哈哈哈 等待高手解讀 但是有好多中等功率的都在CCM模式！ 我做到了先回帖，后學(xué)習(xí) 功率比較小時(shí)，基本都在DCM,變壓器好制作 對(duì)，先回帖，在學(xué)習(xí) 英飛凌的芯片，過(guò)流點(diǎn)高低壓很一致非常不錯(cuò) 哈哈哈哈 軟廣告嗎 芯片就是為DCM模式設(shè)計(jì)，用于CCM要加補(bǔ)償 ICE3B0365J做寬輸入5V3W變壓器EPC13AE=0.125我計(jì)算的變壓器初級(jí)240次級(jí)19供電43初級(jí)感量2.5Mh咋樣老師 這個(gè)參數(shù)你變壓器繞不下，現(xiàn)在這個(gè)變壓器都可以出CV 5V,1A. 確實(shí)不好繞下。那就再減小匝數(shù)減小電感量了，進(jìn)入更深的DCM。實(shí)際我拿0.1直徑的線繞初級(jí)4層繞出來(lái)了。當(dāng)然不符合安規(guī)的方式了采用一些。 戛然而止了。。。沒(méi)有后續(xù)了 嗚嗚 待我開(kāi)個(gè)新帖 發(fā)我這個(gè)ICE3B0365做的電源的全過(guò)程。 關(guān)注下這個(gè)帖子吧。用ICE3B0365J做的實(shí)物。 頂~~~~~嘿嘿 哇 還有意外收獲 這么小功率的dcm或者crm會(huì)好些吧 不做DCM，怎么做到QR？
個(gè)人認(rèn)為原因很簡(jiǎn)單吧。infineon的mos導(dǎo)通電阻低，導(dǎo)通損耗不大，在DCM工作模式下，開(kāi)關(guān)損耗低，導(dǎo)通損耗也低，是最優(yōu)化的。
有些是臨界狀態(tài) 大功率電感廠家 |大電流電感工廠
