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深圳市瑞申電子有限公司

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基于TRL校準的低噪聲放大器的研究與設計

時間:2015-08-05 06:11:02 點擊:

  摘 要: 針對低噪聲放大器實際電路往往和仿真結果出入較大、調試困難等特征,以TRL校準件和芯片量測板為平臺量測出芯片的S參數,通過和廠商提供的S參數比擬,在此基礎上通過射頻仿真軟件設計出的低噪聲放大器,在實際測試中和仿真結果比較接近,大大提高了低噪聲放大器設計的效率和性能。最后以GPS和北斗為例,給出了實測和仿真的S參數Smith圓圖比對結果。

  關鍵詞: 低噪聲放大器;TRL校準;S參數

  低噪聲放大器的主要作用是放大天線從空中接收到的微弱信號,減小噪聲干擾,以供系統解調出所需的信息數據[1]。低噪聲放大器是現代無線通信、雷達、電子對抗系統等應用中一個非常重要的部分,并且擁有廣闊的發展前景,其性能的好壞直接影響了整個系統的性能。常用于接收系統的前端,在放大信號的同時抑制噪聲干擾,提高系統靈敏度。

  目前,國內關于低噪聲放大器的設計主要是通過EDA軟件借助于芯片廠商提供的設計套件(Design Kit)做軟件仿真來設計的。這種設計方法往往不能很好地得到和仿真接近的結果,而且增加了調試難度,最終也很難達到仿真中的結果。針對這種仿真中的優秀結果很難通過實際電路表現出來的問題,本文使用安華高公司的ATF34143芯片來設計低噪聲放大器,選取的工作電壓為3 V和工作電流為20 mA,然后通過設計出的TRL校準件、芯片量測PCB板和矢量網絡分析儀提取出芯片的S參數(特定電壓、電流和電路結構,不含有噪聲系數),再通過和廠商提供的S參數(含有噪聲系數,不確定電路結構)進行擬合,然后在此基礎上通過ADS(Advanced Design Systerm)仿真軟件進行電路設計和仿真,以GPS和北斗兩種不同頻段的低噪聲放大器為例,最終得到了和仿真向接近的S參數。本文中敘述以GPS為主,最后分別給出了GPS和北斗低噪放的實測和聯合仿真比對的結果。

1 TRL校準件和芯片量測PCB板的制作

  簡單地說,TRL校準就是通過thru(直通)-reflection(反射)-line(線)三步校準來去掉接入網絡誤差的校準方法,本文設計的TRL校準件選擇聚四氟乙烯介電常數Er=2.65,厚度h=0.8 mm的板材,中心頻率為2 GHz,校準范圍為444 MHz~3.5 GHz,芯片量測PCB板的制作是參考芯片的本身特性以及其封裝結構來設計的,通過TRL校準件和量測PCB板,可以準確地量測到芯片管腳處的S參數[2-3]。

2 兩種S參數的應用

  一種S參數是從某芯片量測PCB板中提取的,其中包含了反饋網絡和偏置電路,這樣就可以確定這種結構和偏置電路下的S參數,但是這種通過矢量網絡分析儀提取的S參數中不包含噪聲系數。另一種S參數是芯片廠商提供的純粹的S參數,這種S參數中不包含任何額外的電路,并且這種S參數中含有噪聲系數。這兩種S參數各有優點,需要做的就是把這它們的各自的優點結合起來,使其更方便對電路進行設計。圖1為兩種S參數仿真的原理圖。

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  圖1中,B為實測出的S參數,A為廠商提供的S參數,為了達到擬合的效果,A中根據PCB結構中的電路加入了適當的元器件,其中電阻和電容與PCB中的一樣,電感是根據芯片管腳的長度定義的。當電感為1.1 nH時比擬的效果最好。為了更直觀地看到擬合的效果,采用了Smith圓圖來比較它們的S參數的Smith圓圖,如圖2所示。其中,有圓點的線為廠商提供的S參數調整以后的結果S(3,3),S(4,4),S(4,3),S(3,4),分別對應著圖中曲線所示實測結果的S參數S(1,1),S(2,2),S(2,1),S(1,2),從圖中可以看到兩種S參數的擬合的效果比較理想。

002.jpg

3 低噪聲放大器的原理圖設計

  3.1 穩定性分析

  因為提取的S參數為特定電壓、電流和電路結構下的S參數,因而在控件中這種仿真環境已經包含在里面,就不需要再專門設計偏置電路,接下來需要對其進行穩定性分析。確保其工作在穩定條件下,穩定性是低噪聲放大器設計的重要特性之一。很明顯,如果低噪聲放大器電路性能不穩定,會成為一個振蕩器。下面是穩定性要滿足的3個條件:

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