LTC3866采用恒定頻率峰值電流模式控制架構(gòu)，從而可確保逐周期峰值電流限制和不同電源之間的均流。

　　該器件尤其適用于低壓、大電流電源，因?yàn)槠洫?dú)特的架構(gòu)能提高電流檢測(cè)電路的信噪比。這允許LTC3866能以由DCR非常低(1mΩ或更低)的電感器產(chǎn)生小的采樣信號(hào)工作，這在大電流電源中可提高電源效率。提高信噪比可最大限度地減小由開關(guān)噪聲引起的抖動(dòng)，而這有可能使信號(hào)產(chǎn)生訛誤。憑借精心的PCB布局，LTC3866可對(duì)低至0.2mΩ的DCR值采樣，盡管在這種極端情況下，應(yīng)該額外考慮PCB和焊料電阻。

　　如圖1功率電感打樣 所示，LTC3866有兩個(gè)正的采樣引腳(SNSD+貼片電感和SNSA+)以采集信號(hào)，并在內(nèi)部對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理，這在響應(yīng)低壓采樣信號(hào)時(shí)，可使信噪比改善14dB(5倍)。電流限制門限仍然是電感器峰值電流及其DCR值的函數(shù)，而且可以用ILIM引腳以5mV的步進(jìn)在10mV至30mV的范圍內(nèi)準(zhǔn)確設(shè)定。在整個(gè)溫度范圍內(nèi)，器件至器件的電流限制誤差僅約為1mV。

圖1：具超低電感器DCR的LTC3866電流采樣電路。大電流通路用粗線顯示

　　INDUCTOR：電感器

　　PLACE C1， C2 NEXT TO IC：靠近 IC 放置 C1 和 C2

　　PLACE R1， R2 NEXT TO INDUCTOR：靠近電感器模壓電感器放置 R1 和 R2